高通骁龙835芯片将推出 三星”爆炸”之殇或可缓解

　　IT产业网讯 近日，高通发布最新一代处理器骁龙835，预计搭载骁龙835处理器的设备将会在2017年上半年陆续与大家见面，三星“爆炸”之殇或得缓解。

　　据悉，新一代高通骁龙835，以三星10 nm FinFET打造，与一个水分子差不多大，比头发小1000倍，比骁龙820处理器体积小30%，可以腾出更多空间安放大容量电池，或让智能手机更为轻薄。而其性能提升27%，功耗却降低40%，提高用户体验，将支持最新的快充技术Quick Charge 4.0。官方称充电5分钟可以延长手机使用时长5小时，由0%充到50%，也只是15分钟。

　　为防止电池过度充电，出现类似三星Note7的爆炸事件，高通承诺新一代芯片搭载的智能手机，其电流、电压与温度都比上一代更加稳定。与3.0不同的是，新一代快充将支持USB Type-C与USB Power Delivery接口。不过截至目前，高通尚未将该芯片的具体配置公开。此外，高通的其他高端装备预计将在明年2月MWC2017大会上于拉斯维加斯发布。

　　失之东隅收之桑榆，业内人士认为，正在处理各种手机爆炸事件的三星，或许会因为高通代工的关系而率先搭载该新型处理器，最有可能搭载的三星手机或为三星Galaxy S8。可以预见的是，这款骁龙835芯片将于今年底开始量产，该芯片也将会成为2017年大多数旗舰手机的主流配置。