三星加大投入扩大芯片产能 开始对供给过度感到担忧

　　据外电报道，刚被任命为三星电子联席首席执行官、负责旗下芯片业务的金奇南(Kim Ki-nam)日前表示，今年是全球芯片产业增长的关键时期，整个行业会面临更激烈的竞争。

　　金奇南在韩国媒体采访时表示，今年芯片产业会面临严峻的形式，暗示技术创新会遇到困难，并对供给过度的问题感到担忧。“芯片产业在空前的繁荣期正面临着严峻的现实。因为技术的快速变革，预测市场格局将如何变化变得相当困难，”他说。

　　市场观察人士预计，今年全球芯片市场会继续保持繁荣，但增长速度预计会低于去年。市场调研公司IHS Markit提供的数据显示，2017年全球DRAM存储芯片市场的规模达到722亿美元，较上年增长了72%;预计该市场今年的规模更是会达到844亿美元，但增速将滑落至16.9%。

　　目前，DRAM存储芯片业务也是三星电子盈利最多的业务。因为数据中心业务需求的增长，三星电子预计DRAM存储芯片的供求关系仍将紧张，该公司如今已通过在韩国平泽新工厂增加生产线，来扩大DRAM存储芯片的产品。

　　业内预计，三星电子这座新工厂的制造能力将达到6万块晶片，为现有整体DRAM芯片产能的大约六分之一。因为对供求问题的担忧，在三星电子去年11月发布扩张产能的消息后，DARM芯片的售价在一周时间中曾暴跌了21.4%。“为保持世界顶级芯片制造商的地位，我们将不断努力创新技术和应对挑战，”金奇南说。

　　三星电子在去年第三季度的财报电话会议中曾表示，通过把公司年度投资预算的60%部署到NAND闪存业务当中，该公司寻求对3D闪存芯片进行创新。不过在全球NAND闪存芯片市场增长46.2%，产值达到538亿美元之后，该市场增速也会在今年放缓。业内人士预计，全球NAND闪存市场今年的规模将达到592亿美元，较去年增长10%。

　　业内观察人士预计，三星电子今年的投资计划可能会通过影响供求关系来改变市场格局。“NAND市场已经开始放缓，而DARM市场仍可能会因为三星电子的进一步投资而受到影响，”韩国券商HI Investment & Securities分析师Song Myung-seob在研报中表示。“投资人需要更密切的关注三星电子在今年宣布的投资计划。”

　　根据市场调研公司IC Insights的预测，三星电子去年的投资总额达到260亿美元，占据了全球芯片制造商总资本投入的20%以上。其中，该公司为3D NAND闪存业务投入了140亿美元，为DRAM和代工业务分别投入了70亿美元和50亿美元。