东芝96层QLC闪存明年量产：1500次P/E、M.2可到20TB

　　在此次闪存峰会上，东芝Keynote的重点是BiCS4 Flash，也就是QLC闪存。

　　BiCS4即第四代BiCS 3D闪存，从BiCS3的64层堆叠提升到96层。

　　时间节点和技术指标方面，BiCS4 QLC闪存将从明年开始量产，单芯片的容量可达1.33Tb，基于U.2形态的模组可以做到85TB，基于M.2 22110可以做到20TB，相当恐怖。

　　大家关心的耐用性方面，东芝也将BiCS4 QLC产品的P/E(可编程/擦写循环)从理论的1000次提升到1500次，为传统TLC的一半，相信只要价格给力，肯定会讨好消费者。

　　当然，在“硬货”方面，东芝祭出了XL-Flash，通过对存储单元结构进行调整，即更短的bitline(位线，垂直方向)和wordline(字线，水平方向)，使得读取延迟降低到当下TLC的1/10。XL-Flash早期均采用SLC，后期将扩展到MLC。从这个角度看的话，XL-Flash和三星的Z系列SSD比较像，都是和Intel傲腾竞争的高端品。