SK海力士DDR5-6400内存细节：存储密度翻番

　　SK海力士近日公布了第一颗DDR5-6400内存芯片，频率高达6400MHz，是现在多数DDR4内存的两倍左右，而单颗容量为16Gb(2GB)。

　　SK海力士的这种DDR5-6400内存采用1ynm工艺制造，也就是第二代10nm级别工艺(DRAM工艺现在极少明确到个位数)，四个金属层，面积为76.22平方毫米。

　　这是什么概念呢?

　　SK海力士此前的第一代21nm工艺8Gb(1GB) DDR4内存芯片面积是76平方毫米，等于如今在同样的面积内实现了两倍的容量，存储密度翻了一番。

　　不过，76.22平方毫米仍然是相当大的面积，成本肯定很高，后续仍依赖于工艺的进步，比如第二代21nm工艺的8Gb DDR4就缩小到了53.6平方毫米，足足30%。

　　当然了，翻番的存储密度可以有效抵消上涨的成本，更何况还可以做出更小的4Gb芯片。

　　另外，新内存的工作电压仅为1.1V，相比于DDR4标准的1.2V又降低了大约8%，而很多高频DDR4内存都要加到1.35V甚至是很危险的1.5V。

　　为了达成6400MHz高频率、1.1V低电压，SK海力士在电路设计上费了不少心思，比如为了减少高频下的时钟抖动、时钟占空比失真，加装了新的延迟锁定环DLL，使用了相位旋转器(phase rotator)、注频锁相振荡器(injection locked oscillator)。

　　另外还有新的前向反馈均衡(FFE)电路，以及新的写入均衡训练算法。

　　目前，三星电子、SK海力士、美光等巨头都在冲刺DDR5，但是行业规范迟迟没能定下来，原计划2018年底出炉现已严重超时，而且JEDEC组织一直没有给出新的时间表。

　　而在另一方面，针对智能手机等低功耗便携式设备的LPDDR5都已经搞定了。