非易失磁阻式RAM推进到单芯片1Gb：内存/硬盘加速统一

　　计算机界一直在探索NVRAM(非易失随机存取器)，即在保留DRAM速度快、延时低(纳秒级)优势的情况下，做到永固数据。

　　目前基于NAND的SSD是向NVRAM过渡的产物之一，业内还有铁电RAM(FRAM)、磁阻式RAM(MRAM)、电阻式RAM(ReRAM)以及Intel已经商用化的相变RAM(PCRAM)即3D Xpint技术形态。

　　MRAM近年来受到的关注度很高，Everspin(飞思卡尔子公司)开发完成后(STT-MRAM，自旋力矩转移MRAM)，三星、美光、高通、东芝等都在跟进。

　　MRAM与NAND的主要不同体现在结构原理，前者依赖的是不同的磁性取向来存储信息(诺奖巨磁阻效应)，后者则是电荷存储信息，电荷存储的主要问题是需要以较高的电压完成写入，且可靠性随时间逐渐损耗。

　　对比之下，MRAM不仅可靠性/耐用性大大提升，同时依然可以维持纳秒级的低时延。

　　据Anandtech报道，Everspin目前生产的MRAM单芯片是256Mb，年底将试样1Gb(128MB)，基于GF的22nm FD-SOI工艺。

　　与此同时，IBM宣布，将在今天开幕的闪存峰会上展示FlashCore系列新品SSD，容量19.2TB，基于3D TLC闪存(64层)，主控为FPGA芯片，缓存用的是Everspin的MRAM，大小128MB。

　　IBM表示，FPGA主控配合传统的DRAM不能提供更好的写入加速，寿命很低，所以选择了Everspin的MRAM。

　　这款SSD采用U.2接口，支持NVMe规范，可走PCIe 4.0通道。